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ONSEMI FQD8P10TM MOSFET, P-KANAL, -100V, -6.6A TO-252AA-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2453899
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD8P10TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6.6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252AA
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 44 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQD8P10TM, 2453899, 245-3899
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