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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0082 ohm, TDSON, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
1331-2480741

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
BSC082N10LSGATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 ohm

Produktpalette: OptiMOS 2 Series

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 100 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TDSON

Drain-Source-Spannung Vds: 100 V

Verlustleistung: 156 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V

SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSC082N10LSGATMA1, 2480741, 248-0741

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