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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2480778
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSP125H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 120 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-223
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 1.8 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, MOSFET, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSP125H6327XTSA1, 2480778, 248-0778
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