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VISHAY SUP80090E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 150V, 128A, TO-220AB-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2576516
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUP80090E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 128 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 150 V
  • Verlustleistung: 375 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SUP80090E-GE3, 2576516, 257-6516
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