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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK)


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Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2617465
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD80R1K0CEATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 83 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 ohm
  • Produktpalette: CoolMOS CE
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 5.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPD80R1K0CEATMA1, 2617465, 261-7465
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