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ROHM R6004ENDTL MOSFET, N-KANAL, 600V, 4A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2630084
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6004ENDTL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 58 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, R6004ENDTL, 2630084, 263-0084
    Die Konditionen im Überblick1
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