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| Artikel-Nr.: 1331-2630365 Herst.-Nr.: SVD2955T4G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 12 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-251 Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 55 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, SVD2955T4G, 2630365, 263-0365 |
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