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| Artikel-Nr.: 1331-2674758 Herst.-Nr.: IXFK80N50Q3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds: 500 V Verlustleistung: 1.25 kWQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5 VSVHC: Lead (17-Jan-2023) Rds(on)-Prüfspannung: 10 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 ohmProduktpalette: HiPerFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 80 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-264 RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 80a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXFK80N50Q3, 2674758, 267-4758 |
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