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IXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N65X2 MOSFET, N-KANAL, 650V, 4A, TO-220


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2674789
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTP4N65X2
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 4 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 80 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTP4N65X2, 2674789, 267-4789
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