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ROHM SCT3120ALGC11 MOSFET, N-KANAL, 650V, 21A, TO-247N


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2678787
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SCT3120ALGC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 21 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247N
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 103 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6 V
  • SVHC: Lead (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, SCT3120ALGC11, 2678787, 267-8787
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