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| Artikel-Nr.: 1331-2706635 Herst.-Nr.: RQ3E150GNTB EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 39 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: HSMT Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 17 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RQ3E150GNTB, 2706635, 270-6635 |
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