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DIODES INC. DMT10H015LCG-7 MOSFET, N-KANAL, 100V, 34A, VDFN3333


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2709546
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMT10H015LCG-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 34 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: VDFN3333
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 1 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMT10H015LCG-7, 2709546, 270-9546
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