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INFINEON IPP086N10N3GXKSA1 MOSFET, N-KANAL, 100V, 80A, TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2709893
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPP086N10N3GXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS 3
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 80 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 125 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPP086N10N3GXKSA1, 2709893, 270-9893
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