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INFINEON IPD80R2K8CEATMA1 MOSFET, N-KANAL, 800V, 1.9A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2709949
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD80R2K8CEATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4 ohm
  • Produktpalette: CoolMOS CE
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.9 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 42 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPD80R2K8CEATMA1, 2709949, 270-9949
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