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INFINEON IPD80R2K8CEATMA1 MOSFET, N-KANAL, 800V, 1.9A, TO-252
Menge:
Stück
Produktinformationen:
icecat
Lager 1331
Artikel-Nr.:
1331-2709949
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IPD80R2K8CEATMA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
2.4 ohm
Produktpalette:
CoolMOS CE
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
1.9 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds:
800 V
Verlustleistung:
42 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
3 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
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,
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INFINEON
,
IPD80R2K8CEATMA1
,
2709949
,
270-9949
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