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INFINEON IPW65R110CFDAFKSA1 MOSFET N-KANAL, AEC-Q101, 650V, TO-247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2726081
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW65R110CFDAFKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099 ohm
  • Produktpalette: CoolMOS CFDA
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 31.2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 277.8 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, diode infineon, dual transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPW65R110CFDAFKSA1, 2726081, 272-6081
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