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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0145 ohm, TO-252 (DPAK)


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2781081
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD30N03S2L20ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 30 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 60 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPD30N03S2L20ATMA1, 2781081, 278-1081
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