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Artikel
ONSEMI FCD850N80Z MOSFET, N-KANAL, 800V, 6A, TO-252-3
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
1331-2825204
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FCD850N80Z
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.71 ohm
Produktpalette:
SuperFET II
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
3 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
6 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds:
800 V
Verlustleistung:
75 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
4.5 V
SVHC:
Lead (23-Jan-2024)
RoHS konform: Keine Angaben
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ONSEMI
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FCD850N80Z
,
2825204
,
282-5204
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