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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.03 ohm, PowerPAK 1212


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2833884
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS460ENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 39 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: To Be Advised
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 ohm
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 8a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQS460ENW-T1_GE3, 2833884, 283-3884
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