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Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 60 V, 410 mA, 3 ohm, TO-39, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2920796
Hersteller:
     Microchip Technology
Herst.-Nr.:
     2N6660
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 410 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-39
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 6.25 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, MICROCHIP, 2N6660, 2920796, 292-0796
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