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VISHAY SIRA10BDP-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 30V, 60A, 150°C, 43W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2932945
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA10BDP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET Gen IV
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 60 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 43 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA10BDP-T1-GE3, 2932945, 293-2945
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