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| Artikel-Nr.: 1331-2932977 Herst.-Nr.: SQM40016EM_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810 µohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 7 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 250 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 300 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQM40016EM_GE3, 2932977, 293-2977 |
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