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ROHM SCT3017ALGC11 MOSFET, N-KANAL, 650V, 118A, 175°C, 427W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
1331-2947063

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
SCT3017ALGC11

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 118 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-247N

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 427 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6 V

SVHC: Lead (17-Jan-2023)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, SCT3017ALGC11, 2947063, 294-7063

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