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ONSEMI BC847BPDW1T2G TRANSISTOR-ARRAY, AEC-Q101, NPN/PNP, 45V

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
1331-2985376

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
BC847BPDW1T2G

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Schalttransistor
Transistor
Transistor Array
transistor array npn

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP

Verlustleistung, NPN: 380 mW

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SOT-363

Verlustleistung, PNP: 380 mW

DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200 hFE

Übergangsfrequenz, NPN: 100 MHz

Übergangsfrequenz, PNP: 100 MHz

Qualifikation: -

SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100 mA

Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100 mA

DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200 hFE

RoHS konform: Ja

... > Transistoren > Bipolare Transistoren > Bipolare Schichttransistor-Arrays (BJT)

Weitere Suchbegriffe: transistor array on semiconductor, transistor array, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, BC847BPDW1T2G, 2985376, 298-5376

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