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STARPOWER GD200HFY120C2S IGBT-MODUL, 1.2KV, 309A, 150°C, 1.006KW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2986062
Hersteller:
     STARPOWER
Herst.-Nr.:
     GD200HFY120C2S
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Transistor Array
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 309 A
  • IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 V
  • Verlustleistung: 1.006 kW
  • SVHC: To Be Advised
  • IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: transistor array, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STARPOWER, GD200HFY120C2S, 2986062, 298-6062
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