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INFINEON IPB033N10N5LFATMA1 MOSFET N-KANAL, 100V, 120A, 179W, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2986457
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB033N10N5LFATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS 5
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 120 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 179 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB033N10N5LFATMA1, 2986457, 298-6457
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