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INFINEON IPB110N20N3LFATMA1 MOSFET N-KANAL, 200V, 88A, 250W, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     1331-2986460
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB110N20N3LFATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS 3
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 88 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 250 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB110N20N3LFATMA1, 2986460, 298-6460
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