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DIODES INC. DMN1019USN-7 MOSFET, N-KANAL, 12V, 9.3A, SC-59


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3127593
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN1019USN-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 9.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SC-59
  • Drain-Source-Spannung Vds: 12 V
  • Verlustleistung: 680 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 mV
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMN1019USN-7, 3127593, 312-7593
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