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STMICROELECTRONICS STD13NM60ND MOSFET N-KANAL 600V, 11A, 109W, TO-252


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3129734
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD13NM60ND
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 109 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32 ohm
  • Produktpalette: FDmesh II
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 11 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD13NM60ND, 3129734, 312-9734
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