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| Artikel-Nr.: 1331-3132379 Herst.-Nr.: PMV28ENEAR EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 4.4 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263AB Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 660 mWQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 VSVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PMV28ENEAR, 3132379, 313-2379 |
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