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ROHM RS1E301GNTB1 MOSFET, N-KANAL, 30V, 80A, 150°C, 33W
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
1331-3214735
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
RS1E301GNTB1
EAN/GTIN:
k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0017 ohm
Produktpalette:
-
MSL:
MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
80 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
HSOP
Drain-Source-Spannung Vds:
30 V
Verlustleistung:
33 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
2.5 V
SVHC:
Lead (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
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Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
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,
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,
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,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
ROHM
,
RS1E301GNTB1
,
3214735
,
321-4735
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Warenzustand:
unbenutzt
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