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| Artikel-Nr.: 1331-3227633 Herst.-Nr.: IPB70N10S3L12ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098 ohmProduktpalette: OptiMOS-T MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 70 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 125 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 VSVHC: No SVHC (27-Jun-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB70N10S3L12ATMA1, 3227633, 322-7633 |
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