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| Artikel-Nr.: 1331-3265484 Herst.-Nr.: NVBG020N120SC1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 20 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 7 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 98 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 468 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVBG020N120SC1, 3265484, 326-5484 |
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