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INFINEON FS100R07N2E4BOSA1 IGBT-MODUL 6 N-KANAL 650V 100A 335W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3294634
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FS100R07N2E4BOSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Produktpalette: EconoPACK 2
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 100 A
  • IGBT-Anschluss: Einpressmontage
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 V
  • Verlustleistung: 335 W
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, FS100R07N2E4BOSA1, 3294634, 329-4634
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