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| Artikel-Nr.: 1331-3350744 Herst.-Nr.: SISS94DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 19.5 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212-S Drain-Source-Spannung Vds: 200 VVerlustleistung: 65.8 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISS94DN-T1-GE3, 3350744, 335-0744 |
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