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ONSEMI NVD5117PLT4G-VF01 MOSFET, P-KANAL, 60V, 61A, 175°C, 118W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3368857
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVD5117PLT4G-VF01
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 61 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 118 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: Lead (27-Jun-2024)
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVD5117PLT4G-VF01, 3368857, 336-8857
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