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ONSEMI NVD5C648NLT4G MOSFET, N-KANAL, 60V, 89A, 175°C, 72W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3368858
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NVD5C648NLT4G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 89 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 72 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVD5C648NLT4G, 3368858, 336-8858
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