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| Artikel-Nr.: 1331-3368867 Herst.-Nr.: NVMFS5C442NLAFT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 5 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 130 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: DFN Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 83 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: Lead (23-Jan-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 130 a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVMFS5C442NLAFT1G, 3368867, 336-8867 |
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