| |
|
| Artikel-Nr.: 1331-3439656 Herst.-Nr.: BUK763R1-60E,118 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00234 ohmProduktpalette: TrenchMOS MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 120 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 293 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, BUK763R1-60E,118, 3439656, 343-9656 |
| | |
| |