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| Artikel-Nr.: 1331-3440122 Herst.-Nr.: PSMN7R6-100BSEJ EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 75 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263 Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 296 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PSMN7R6-100BSEJ, 3440122, 344-0122 |
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