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ONSEMI NTH4L080N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 29A, TO-247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3464005
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTH4L080N120SC1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 29 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 170 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4L080N120SC1, 3464005, 346-4005
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