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| Artikel-Nr.: 1331-3528514 Herst.-Nr.: NVBG080N120SC1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Rds(on)-Prüfspannung: 20 VDrain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 7 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 30 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 179 WRoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVBG080N120SC1, 3528514, 352-8514 |
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