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ONSEMI NVBG160N120SC1 MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 19.5A, TO-263HV

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
1331-3528515

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NVBG160N120SC1

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 20 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 3 - 168 Stunden

Anzahl der Pins: 7 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 19.5 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV

Verlustleistung: 136 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVBG160N120SC1, 3528515, 352-8515

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