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| Artikel-Nr.: 1331-3573218 Herst.-Nr.: BSM180C12P2E202 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - Produktpalette: - Anzahl der Pins: - MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 204 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: Module Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 1.36 kWGate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: Lead (17-Jan-2023) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, BSM180C12P2E202, 3573218, 357-3218 |
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