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INFINEON AIGB30N65H5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 55A, TO-263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3582432
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     AIGB30N65H5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55 A
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Verlustleistung: 188 W
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: igbt, Dioden, Einfache, Gleichrichter, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, AIGB30N65H5ATMA1, 3582432, 358-2432
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