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INFINEON IMBG120R140M1HXTMA1 SIC-MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 18A TO-263-7


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-3582465
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMBG120R140M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189 ohm
  • Produktpalette: CoolSiC Trench Series
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 7 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 18 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 107 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMBG120R140M1HXTMA1, 3582465, 358-2465
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