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ROHM R8002KND3TL1 MOSFET, N-KANAL, 800V, 1.6A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3605699
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R8002KND3TL1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 ohm
  • Produktpalette: R8xxxKNx
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 1.6 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 30 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 V
  • SVHC: Lead (17-Jan-2023)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, R8002KND3TL1, 3605699, 360-5699
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