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VISHAY SIHP17N80AEF-GE3 MOSFET, N-KANAL, 800V, 15A, TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3650279
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP17N80AEF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263 ohm
  • Produktpalette: EF
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 15 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 800 V
  • Verlustleistung: 179 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP17N80AEF-GE3, 3650279, 365-0279
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