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| Artikel-Nr.: 1331-3677856 Herst.-Nr.: SIR510DP-T1-RE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 126 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 104 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIR510DP-T1-RE3, 3677856, 367-7856 |
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