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DIODES INC. DMN3009LFVQ-13 MOSFET N-KANAL, 30V, 60A, POWERDI 3333


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3702794
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3009LFVQ-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 60 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerDI 3333
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, DIODES INC., DMN3009LFVQ-13, 3702794, 370-2794
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