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| Artikel-Nr.: 1331-3768881 Herst.-Nr.: AIMW120R035M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035 ohmProduktpalette: CoolSiC Trench Anzahl der Pins: 3 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 52 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kVVerlustleistung: 228 mWGate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, AIMW120R035M1HXKSA1, 3768881, 376-8881 |
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